Техника для дома и офиса

Япoнскиe учeныe рaзрaбoтaли нoвый спoсoб упрaвлeния кoмпьютeрнoй пaмятью, кoтoрый пoмoжeт усилить ee энeргoпoтрeблeниe и увeличить прoизвoдитeльнoсть. Рaбoтa oпубликoвaнa в журнале tribal.com.ua
alliancenet.com.ua
Advanced Materials.

Современные устройства хранения данных используют гальванический ток для переключения информации. Сие приводит к потере энергии в виде тепла, в чем дело? особенно критично для ноутбуков, смартфонов и серверов, которые работают круглосуточно. К решения этой проблемы, исследователи обратились к специальным материалам — мультиферроикам. Они способны переменять свои магнитные свойства перед действием электрического поля, за исключением. Ant. с нагрева.

До сих пор считалось, ась? электрическое поле должно одинаковый по направлению с изменением магнитного сигнала. Сие сильно ограничивало возможности в создании новых устройств. Все же команда под руководством профессора Кэи Сигэмацу с Института науки Токио доказала, а можно управлять памятью, хоть если электрическое поле направлено перед углом к магнитному сигналу.

Эксперименты проводились с тонкими пленками редкого материала BiFe₀.₉Co₀.₁O₃. Ученые доказали, как будто такие материалы можно использовать в своих интере в памяти нового поколения, идеже электроды и сенсоры размещаются паче гибко. Это сделает устройства тучнее и эффективнее.

«Наша технология позволит формировать более экономичную и мощную кэш для компьютеров и телефонов», — отметил Сигэмацу. — «Это особенно мирово сейчас, когда цифровые устройства поглощать у каждого и они потребляют весь век больше энергии».

По мнению авторов, вернисаж поможет приблизиться к созданию сверхплотной и быстрой компьютерной памяти, которая закругляйся не только экономичной, хотя и экологичной.

Ранее был установлен новоизобретённый мировой рекорд в области оптоволоконной маза.